ロバート・ボッシュは、ＳｉＣ（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体の量産を１２月から始めたと発表した。単独のチップとして提供するほか、パワーエレクトロニクスやｅアクスルなど製品に組み込んだ形で供給する。製造は独ロイトリンゲン工場で行う。
同社は２０１９年にＳｉＣチップを開発し、生産すると発表。製造工程を自社開発し、２１年初頭から評価用サンプルとして生産を始めた。今回、ロイトリンゲン工場での量産を１２月から開始。自動車の電動化に伴う旺盛なパワー半導体需要に対応するため、将来的には生産能力を億単位の規模に引き上げる予定となっている。
同工場ではすでにクリーンルームスペースの増設に入っている。今年は１千平方㍍を増設。２３年末までに３千平方㍍を追加する予定だ。これにあわせて第２世代のＳｉＣチップの開発も進めており、２２年にも量産を始める。将来的に２００㍉㍍ウエハーを用いた半導体生産も予定している。
ＳｉＣ半導体は電気自動車（ＥＶ）の航続距離の延長や充電の高速化に寄与する。現在のシリコン（ケイ素）チップに比べ、航続距離は平均６％延長できるとみられている。また、熱の発生も大幅に抑えられるため、パワーエレクトロニクスの冷却機構の簡略につながるメリットもある。
ボッシュは量産を始めたＳｉＣパワー半導体について、単独のチップとして、またモーターとトランスミッション、インバーターを一体化したｅアクスルなどに組み込んで提供する。
