独ヴィテスコ・テクノロジーズは、２０３０年頃の市場投入を目指す第５世代「ｅアクスル」で、コストを現行品である第３世代に比べて約半分に下げ、出力密度を約２倍に高める開発目標を明らかにした。炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった次世代パワー半導体の搭載も急ぐ。磁石やアルミのサプライチェーン（供給網）も強化する。同社は、電気自動車（ＥＶ）市場が３０年に２２年の５倍超に成長すると見込む。開発、供給の両面で対応を進め、ｅアクスルのシェア拡大を目指す。
ヴィテスコは独コンチネンタルのパワートレイン部門がスピンアウトした企業で、ＥＶ製品や内燃機関車の電子制御ユニット（ＥＣＵ）などを手がける。２２年の売上高は９０億 ユーロ （約１兆４千億円）超で、総受注額の７割以上にあたる１０４億 ユーロ （約１兆６千万円）をすでに電動車関連製品が占める。同社のエレクトリフィケーションソリューションズ（電動化製品）事業部の開発責任者を務めるガード・ロゼル氏がこのほど来日し、開発目標などを明らかにした。
同社は、２４年に第４世代ｅアクスル「ＥＭＲ４」の量産を始める。第３世代より小型・軽量化したほか、１基で８０（約１０９馬力）～２３０㌔㍗（約３１３馬力）まで対応し、汎用性とコスト低減を両立させた。レアアース（希土類）レスの巻線界磁形同期モーター（ＥＥＳＭ）と、永久磁石式モーターの双方に対応する。
開発中の第５世代製品は、第３世代と比べてコストと出力損失、地球温暖化係数（ＧＷＰ）を半減させ、出力密度を約２倍とすることを目指す。コスト目標は、生産量の増加に加え、原材料費や物流費も見直して達成を目指す。出力密度はインバーター性能の大幅な向上を想定する。
ＥＶの駆動に用いる電圧は今後、主流の出力４００㌾から８００㌾へと高出力化する見込みで、より高電圧に耐え、変換効率にも優れるＳｉＣ搭載インバーターの需要拡大が見込まれる。同社もロームやオンセミと供給契約を結び、２５年頃からＳｉＣ搭載インバーターの投入を本格化していく。また、インフィニオンとはＧａＮ半導体の供給で提携しており、次世代のＧａＮ搭載インバーターの３０年以降の投入を視野に入れる。磁石やアルミなどでも原料メーカーなどとの提携を広げ、サプライチェーンを強化していく。
ロゼル氏は第５世代製品について「どのような技術を搭載するかは評価中だ」としながらも「最終的にはコスト削減につなげる必要がある」と語った。性能に加え、コスト面でも競合優位性を持つことで、ｅアクスルのシェアを拡大する考えだ。
