ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が１６／１４ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコンに向けて、フィン構造の立体トランジスターを採用したＳＧ（スプリットゲート）―ＭＯＮＯＳ（金属―酸化膜―窒化膜―酸化膜―シリコン）フラッシュメモリーセルの開発に世界で初めて成功したと発表した。最先端ロジックプロ…