電気自動車（ＥＶ）の開発は高電圧化への対応がトレンドだ。そこでバッテリーの直流電流を交流に変換して制御するインバーターの重要性が増している。各社は電力損失の少ない炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイスの開発と調達に力を入れている。
充電時間の短縮などを目指し、一部の高級ＥＶで採用されている８００㌾化が今後幅広い車種で進むと考えられている。パワー半導体デバイスにはこれまでシリコンが用いられてきたが、高電圧に耐え、電力損失を低減するといった性能向上が欠かせなくなった。そこで各社はＳｉＣに注目している。独サプライヤー大手ＺＦは２０３０年には車載パワー半導体の７割近くがＳｉＣになると見通す。
ＳｉＣの課題は製造の難しさとコストだ。シリコンと炭素の粉末状の化合物を、２千度の高温でコントロールしながら単結晶化する必要がある。製造コストはシリコンの約５倍と言われる。そのため半導体各社はコスト低減と高品質化に向けた研究開発に取り組んでいる。
自動車部品メーカーも例外ではない。三菱電機は車載機器事業の立て直しに取り組む一方、ＳｉＣパワー半導体デバイス分野に積極的に投資している。前工程での生産能力を２６年度までに約５倍に増やす方針で、中長期の成長を目指す。デンソーは高品質・低損失なＳｉＣ技術「レボシック」の開発に取り組む。特定条件下での電力損失を半減以下としたインバーターを開発し、トヨタ自動車のレクサス「ＲＺ」に採用された。
早くもＳｉＣの争奪戦を見据えて、大手サプライヤーを中心に半導体大手と提携する動きが広がっている。ＺＦは米ウルフスピードと共同研究開発センターを設立する計画で、独ヴィテスコ・テクノロジーズはロームなどとサプライチェーン（供給網）構築に取り組む。日本でもニデックはルネサスエレクトロニクスとｅアクスルへの搭載に向けてＳｉＣ半導体の設計で協業し、第３世代の「Ｘｉｎ１」の開発に取り組む方針だ。
