昭和電工は、同社が参画する大阪大学の菅沼克昭教授のプロジェクトで炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体がセ氏３００度の高温域でも安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。同プロジェクトは、耐熱性の高いＳｉＣパワー半導体の基板構造を開発するのが目的。菅沼教授はアルミニウムの耐熱特性に着目、アルミ材料と実装技術を開発してマイナス４０度から３００度の温度…