日立電線は、法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター中村徹研究室、日立製作所中央研究所との共同研究で、世界初となる３千ボルト以上の高い逆方向耐圧で、１ｍΩ平方センチメートル程度の低い順方向のオン抵抗を持つ窒化ガリウム（ＧａＮ）の縦型ダイオードの試作に成功したと発表した。今回試作したダイオードは、日立電線製の自立ＧａＮ基板上にＭＯＶＰＥ法でＧａ…