日本ガイシは５日、窒化ガリウム（ＧａＮ）ウエハー「ＦＧＡＮ（エフガン）」＝写真＝が「第２５回半導体・オブ・ザ・イヤー」の半導体用電子材料部門でグランプリを獲得したと発表した。エフガンは一般的な製造方法の気相成長法ではなく、独自の液相結晶成長法を採用して低欠陥密度を実現している。エフガンは環境規制などを背景に需要が高まると見込み、２０１８年４月に事…