住友電気工業は、半導体の基板上に結晶を成長させるエピタキシャル層に含まれる欠陥を低減したＳｉＣ（炭化ケイ素）パワーデバイス用エピタキシャル基板「エピエラ」の量産を開始したと発表した。独自のＳｉＣ成長技術「ＭＰＺ」を活用し、４インチ（１００ミリメートル径）と６インチ（１５０ミリメートル径）の高品質基板を製品化した。エピエラは、デバイスの歩留まりに影…