ダイセルは、大阪大学産業科学研究所フレキシブル３Ｄ実装協働研究所と共同で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体向けに新しい接合材料を開発したと発表した。開発したのは銀とシリコンの複合焼結材料で、従来材料と比べて熱衝撃試験時の強度保持率を約２倍に高めたという。ＳｉＣパワー半導体の耐熱性を向上できるとし、電気自動車（ＥＶ）などでの採用拡大につなげる。Ｓｉ…