日立製作所は３０日、電気自動車（ＥＶ）の省エネルギー化に貢献する新構造のパワー半導体を開発したと発表した。次世代材料の炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いたＥＶ向けパワー半導体「ＴＥＤ―ＭＯＳ」で、ＳｉＣトランジスタの一般的な構造をベースに、溝を掘ることで側壁を電流経路とする新たなひれ構造を形成した。耐久性の指標となる電界強度は従来比で４０％、抵抗は同２５…