三菱電機は、パワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子として電流を高速遮断する保護回路無しで使える、電力損失が世界最小のＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体素子を開発した。通常は単一構造で構成するソース領域に、ソース抵抗制御領域を形成することで搭載機器の短絡発生時、電流を低減し、短絡許容時間を延ばして素子破壊を抑制する。従来構造のＳｉＣ―ＭＯ…