ボルグワーナーは、同社の電気自動車（ＥＶ）向け「バイパー　パワー・モジュール」に、スイスの半導体大手ＳＴマイクロエレクトロニクス製の第３世代７５０㌾ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を採用したと発表した。このモジュールはボルボ・カーズのＥＶ向けに供給されるという。ボルグワーナーとＳＴは、ＳＴのパワーＭＯ…