ルネサスエレクトロニクスは、電動車両向けインバータ用パワー半導体としてシリコン（Ｓｉ）ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を開発したと発表した。第一弾となる７５０㌾耐圧、３００㌂品のサンプル出荷を開始した。開発品は現行の量産品と比べて電力損失を約１０％改善した。壊れにくさを維持しながら、サイズも約１０％小型化した。また、素子特性ばらつき…