ルネサスエレクトロニクスは、電動車両向けインバータ用パワー半導体としてシリコン（Ｓｉ）ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を開発したと発表した。第一弾となる７５０㌾耐圧、３００㌂品のサンプル出荷を開始した。 開発品は現行の量産品...
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