ＪＳＲと米ＩＢＭは、次世代の半導体向けの材料と製造プロセスについて共同開発することで合意したと発表した。半導体の材料である先端フォトレジストやインターコネクト材料など先端材料の開発を進めていく計画。今回両社が共同開発で合意したのは２２ナノメートルと３２ナノメートルクラスの半導体材料。ＣＶＤ用のｌｏｗ―ｋ材料、回路形成可能な感光性層間絶縁膜（ＰＰＬ…