トレンチゲート型SiC MOSFETの断面図
東芝デバイス＆ストレージは、パワー半導体の一種であるトレンチゲート型SiC（炭化ケイ素） MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）で、長期間の使用に伴って起こるゲートしきい値電圧の変動を抑制してデバイスの信頼性を向上する技術を開...
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