独ロバート・ボッシュは、車載向けの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体について、約2年周期で世代更新を図る方針だ。欧州・米国・アジアに分散した製造体制による「地政学リスクへの耐性」と、競合も巻き込む「業界標準化」を両輪に、電気自動車（EV）化の...
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