昭和電工は、同社が参画する大阪大学の菅沼克昭教授のプロジェクトで炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体がセ氏３００度の高温域でも安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。 同プロジェクトは、耐熱性の高いＳｉＣパワー半導体の基板構造を開発する...
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