ルネサスエレクトロニクスは、GaN(窒素ガリウム)パワー半導体を手がける米国のトランスフォームを約3億3900万㌦(約492億円)で買収すると発表した。ルネサスは、次世代の電気自動車(EV)向けパワー半導体として有力視されているGaNを自社技術として獲得して事業拡大を図る。ルネサスは1株当たり5・10㌦でトランスフォームの発行済み全株式を取得する…
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ルネサスエレクトロニクスは、GaN(窒素ガリウム)パワー半導体を手がける米国のトランスフォームを約3億3900万㌦(約492億円)で買収すると発表した。ルネサスは、次世代の電気自動車(EV)向けパワー半導体として有力視されているGaNを自社技術として獲得して事業拡大を図る。ルネサスは1株当たり5・10㌦でトランスフォームの発行済み全株式を取得する…
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