三菱電機は14日、電気自動車（EV）に搭載できるトレンチ型のパワー半導体「SiC-MOSFET（炭化ケイ素・金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）チップ」を開発したと発表した。4品種のサンプルを1月21日から出荷する。駆動用モーターの性能を維持しながら、消費電力を減らすことができるという。

トレンチ型はウエハの表面から溝を掘り、ゲート電極を埋め込んだ構造。EVの駆動用モーターシステムのインバーターに使用するパワー半導体をチップとして組み込むニーズに対応する。そのために、独自構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETチップを開発した。

ウエハ表面にゲート電極を設ける構造のプレーナー型SiC-MOSFETと比べて、電力損失を50％低減できる。同社独自のゲート酸化膜製法などを適用することでオン抵抗などの変動を抑制、品質の安定化が図れるとしている。

プレーナー型はトレンチ型に比べて一般的に製造コストは安い。

まずEVの駆動用モーターシステムのインバーターや、EVの充電装置のオンボードチャージャー、再生可能エネルギー用電源システム向けなど、オン抵抗の異なる4品種を展開する。サンプル価格は個別の見積もりとなる。