ルネサス、デュアルポートタイプ内蔵SRAM 低電圧でも動作安定

 ルネサスエレクトロニクスは、16ナノメートル世代プロセス以降の車載情報機器用SoC(システムLSI)向けにデュアルポートタイプの内蔵SRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー)を開発したと発表した。自動運転技術に必要なリア...

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