ルネサス、28ナノメートルプロセス採用フラッシュメモリー開発

 ルネサスエレクトロニクスは18日、回路線幅に28ナノメートルプロセスを採用したマイコン内蔵用フラッシュメモリーIPを世界で初めて開発したと発表した。 28ナノメートルにプロセスを微細化することで、マイコンに内蔵されるフラッシュメモリーの大...

ここからは有料記事になります。ログインしてご覧ください。

関連記事