ルネサスエレクトロニクスは業界初の高温下での書き換え回数１億回以上と低消費エネルギーを達成した９０ナノメートル１トランジスタタイプのＭＯＮＯＳ構造フラッシュメモリー技術を開発した。ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）など多様なプロセスとの混...
関連記事
NTN、ボールねじのグローバル供給体制構築へ 東南アジアで2028年度にも量産開始を検討
- 2026年7月14日 05:00｜自動車部品・素材・サプライヤー
関西ペイント、トルコ連結子会社の保有比率引き上げ 欧州・中東・アフリカの事業拡大へ
- 2026年7月14日 05:00｜自動車整備・板金塗装, 自動車部品・素材・サプライヤー
〈人事・組織〉デンソー（2026/7/1）
- 2026年7月14日 05:00｜人事・組織改正, 自動車部品・素材・サプライヤー
豊田自動織機、V2Gの技術基盤確立 電力変換を車両側で 建物側のコスト低減
- 2026年7月14日 05:00｜自動車部品・素材・サプライヤー
ソフトバンクと安川電機、ロボットによるワイヤーハーネスのハンドリング実証に成功
- 2026年7月14日 05:00｜自動車部品・素材・サプライヤー
【グランプリ】BBSジャパン／「FL」FORTEGA製鍛造ホイール
- 2026年7月14日 05:00PR
【準グランプリ】星光産業／MR.WashBOSS（ミスターウォッシュボス）電動ホイールブラシ
- 2026年7月14日 05:00PR
【タイヤ部門】ブリヂストン／FINESSA（フィネッサ）
- 2026年7月14日 05:00PR
【ホイール部門】ワーク／WORK EMOTION CR Shigoku
- 2026年7月14日 05:00PR
