ルネサスエレクトロニクスは業界初の高温下での書き換え回数１億回以上と低消費エネルギーを達成した９０ナノメートル１トランジスタタイプのＭＯＮＯＳ構造フラッシュメモリー技術を開発した。ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）など多様なプロセスとの混...
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