テキサス・インスツルメンツ（ＴＩ）は、会津工場（福島県会津若松市）で、ＧａＮ（窒素ガリウム）ベースのパワー半導体の生産を開始したと発表した。会津工場での生産によってＴＩのＧａＮパワー半導体の生産能力は従来比４倍に増えた。
同社は現在、米国テキサス州ダラスでＧａＮパワー半導体を製造しているが、新たに日本での生産も開始した。会津工場では２００㍉㍍ウエハーでＧａＮを製造する。
ＴＩではＧａＮチップを内製する能力を従来比４倍に引き上げることで、ＧａＮパワー半導体の需要拡大に備える。２０３０年までにＧａＮチップの内製率は９５％以上になる見通し。
ＧａＮパワー半導体はエネルギー効率が高く、スイッチング速度も速くて、高温や高電圧の厳しい環境下でも高い性能を発揮する。将来は電気自動車（ＥＶ）などの電動車向けにシリコンやＳｉＣ（炭化ケイ素）に代わるパワー半導体として有望視されている。
