GaNはEVなどで需要増が見込まれる次世代パワー半導体での応用が期待される

特許庁が発表した「２０２１年度特許出願技術動向調査」によると、過去２０年間で「ＧａＮ（窒化ガリウム）パワーデバイス」分野における特許出願件数で日本が最多だったことが分かった。ＧａＮは従来のシリコン（Ｓｉ）よりも消費電力が少なく耐久性に優れるため電気自動車（ＥＶ）などで需要増が見込まれる次世代パワー半導体での活用が期待されている。パワー半導体市場で…