6インチ超のGaN基板（GaN種結晶）
豊田合成は１５日、大阪大学と共同で窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた次世代パワー半導体向け基板の大口径化に成功したとを発表した。今後は基板量産化に向けた品質の評価などを行い、さらなる品質改善と大口径化を進めるとしている。
次世代パワー半導体の一つであるＧａＮパワー半導体は、電力ロスの低減効果からシステム全体での二酸化炭素（ＣＯ２）削減につながる技術とされる。自動車や産業機器をはじめ多くの分野での活用が期待され、生産性や性能向上のため基板の高品質化、大口径化が求められている。
同社と大阪大学は、環境省のプロジェクト「ＧａＮ技術による脱炭素社会・ライフスタイル先導イノベーション事業」で、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でＧａＮの結晶を成長させる手法を活用し、世界最大級となる６インチを超える高品質なＧａＮ基板を作製した。
