昭和電工は、秩父事業所（埼玉県秩父市）で生産するパワー半導体用４インチ径ＳｉＣ（炭化シリコン）エピタキシャルウェハーの生産能力を、従来の２・５倍となる月産１５００枚に増強したと発表した。ＳｉＣエピタキシャルウェハーを用いるＳｉＣパワー半導体は、現在主流のＳｉ（シリコン）半導体と比べて高電圧大電流に耐えられる性質と高温環境下でも動作する特長を持つ。…