ＢＡＳＦは、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）パワー半導体の樹脂ハウジングに適したポリフタルアミド（ＰＰＡ）を開発したと発表した。開発したのは「ウルトラミッド・アドバンスドＮ３Ｕ４１Ｇ６」で、電気自動車（ＥＶ）や高速鉄道、再生可能エネルギー発電などの電子部品に搭載するＩＧＢＴパワーデバイス向けでの採用を見込む。高い化学耐性と寸法安定性に…