ルネサスエレクトロニクスは業界初の高温下での書き換え回数１億回以上と低消費エネルギーを達成した９０ナノメートル１トランジスタタイプのＭＯＮＯＳ構造フラッシュメモリー技術を開発した。ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）など多様なプロセスとの混載が可能で、モーター制御システムで使用されるチップ数を削減できる。ＥＣＵの統合化や機電一体化（機械部分と電気電…